70V659S12DRGI vs 70V658S10DR Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants 70V659S12DRGI et 70V658S10DR vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
70V659S12DRGI

+Nomenclature

1522 PCS | Renesas Electronics, États - Unis
70V658S10DR

+Nomenclature

6871 PCS | Renesas Electronics, États - Unis
Package PQFP-208 BFQFP-208
Description IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
Supplier - Renesas Electronics America Inc
Part Status Active Obsolete
Memory Type Volatile Volatile
Memory Format SRAM SRAM
Technology SRAM - Dual Port, Asynchronous SRAM - Dual Port, Asynchronous
Memory Size 4.5Mb (128K x 36) 2Mb (64K x 36)
Memory Interface Parallel Parallel
Write Cycle Time - Word Page 12ns 10ns
Access Time 12 ns 10 ns
Voltage - Supply 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : 70V659S12DRGI 70V658S10DR

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