2N7002L vs 2N7002VA

Cette comparaison détaillée des composants 2N7002L et 2N7002VA vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification 2N7002L 2N7002VA
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Active
FET Type N-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 115mA (Ta) 280mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 50pF @ 25V
Power - Max - 250mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 5V, 10V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 200mW (Ta) -
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