2N7002K-T1-E3 vs 2N7002ET1G Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants 2N7002ET1G et 2N7002K-T1-E3 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
SOT-23-3
SOT-23-3
Description
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
260mA (Ta)
300mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
2.5Ohm @ 240mA, 10V
2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
2.5V @ 250µA
2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
0.81 nC @ 5 V
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
26.7 pF @ 25 V
30 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
300mW (Tj)
350mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Series
-
TrenchFET®
