1EDN8550B vs 1EDN8550BXTSA1

Cette comparaison détaillée des composants 1EDN8550B et 1EDN8550BXTSA1 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Full specification comparison

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Specification 1EDN8550B 1EDN8550BXTSA1
Part Status Active Active
Series - EiceDriver™
Driven Configuration - High-Side
Channel Type - Single
Number of Drivers - 1
Gate Type - N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage - Supply - 4.5V ~ 20V
Current - Peak Output(Source Sink) - 4A, 8A
Input Type - Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 84 V
Rise / Fall Time(Typ) - 6.5ns, 4.5ns
Operating Temperature - -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount