Images à titre indicatif uniquement
WNSC6D20650WQ
+NomenclatureSILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I
-
FabricantSemi - conducteur renergique
-
Pièce fabricant #WNSC6D20650WQ
-
Package TO-247-2
-
En stock259
365 Garantie qualité 24h/24
7*24 Garantie de service 24h/24
90-Garantie après-vente 24h/24
Garantie produit authentique
Spécifications
| Attribut | Valeur |
| Supplier | WeEn Semiconductors |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 20A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4 V @ 20 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr F | 1.2nF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
