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WNSC2D201200CWQ
+NomenclatureSILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
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FabricantSemi - conducteur renergique
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Pièce fabricant #WNSC2D201200CWQ
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Package TO-247-3
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En stock480
365 Garantie qualité 24h/24
7*24 Garantie de service 24h/24
90-Garantie après-vente 24h/24
Garantie produit authentique
Spécifications
| Attribut | Valeur |
| Supplier | WeEn Semiconductors |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Active |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 20A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.65 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 110 µA @ 1200 V |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Mounting Type | Through Hole |
