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STI11NM80
+NomenclatureMOSFET N-CH 800V 11A I2PAK
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FabricantSemi - conducteurs optiques
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Pièce fabricant #STI11NM80
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Fiche technique STI11NM80 DataSheet
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En stock3556
365 Garantie qualité 24h/24
7*24 Garantie de service 24h/24
90-Garantie après-vente 24h/24
Garantie produit authentique
Spécifications
| Attribut | Valeur |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package | Tube |
| Series | MDmesh™ |
| ProductStatus | Not For New Designs |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 800 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 11A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 400mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 43.6 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1630 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 150W (Tc) |
| OperatingTemperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| SupplierDevicePackage | I2PAK (TO-262) |
