SI7270DP-T1-GE3

Images à titre indicatif uniquement

SI7270DP-T1-GE3

+Nomenclature

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A
Rds On(Max) @ Id Vgs 21mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 900pF @ 15V
Power - Max 17.8W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Produits liés à SI7270DP-T1-GE3