SI5519DU-T1-GE3

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SI5519DU-T1-GE3

+Nomenclature

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETS

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6A
Rds On(Max) @ Id Vgs 36mOhm @ 6.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 17.5nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 660pF @ 10V
Power - Max 10.4W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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