RQ6C050UNTR

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RQ6C050UNTR

+Nomenclature

MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6

  • FabricantROM

  • Pièce fabricant #RQ6C050UNTR

  • En stock7968

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 30mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 900 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)

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