RQ3E180AJTB1

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RQ3E180AJTB1

+Nomenclature

NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:

  • FabricantROM

  • Pièce fabricant #RQ3E180AJTB1

  • En stock2219

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 18A (Ta), 30A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 11mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 39 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4290 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 30W (Tc)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-HSMT (3.2x3)

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