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NVMFD5873NLT1G
+NomenclatureMOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
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FabricantSemi - conducteurs
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Pièce fabricant #NVMFD5873NLT1G
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Fiche technique NVMFD5873NLT1G DataSheet
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Package 8-PowerTDFN
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En stock7536
365 Garantie qualité 24h/24
7*24 Garantie de service 24h/24
90-Garantie après-vente 24h/24
Garantie produit authentique
Spécifications
| Attribut | Valeur |
| Supplier | onsemi,Rochester Electronics, LLC |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 60V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 10A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 13mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 30.5nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1560pF @ 25V |
| Power-Max | 3.1W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 8-PowerTDFN |
