NTMD2C02R2G

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NTMD2C02R2G

+Nomenclature

MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package / Case Tape & Reel (TR),Bulk
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.2A, 3.4A
Rds On(Max) @ Id Vgs 43mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1100pF @ 10V
Power - Max 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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