NDS9952A

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NDS9952A

+Nomenclature

MOSFET N/P-CH 30V 3.7/2.9A 8SOIC

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.7A, 2.9A
Rds On(Max) @ Id Vgs 80mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 320pF @ 10V
Power - Max 900mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount