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MURT10010
+NomenclatureDIODE MODULE 100V 50A 3TOWER
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FabricantGenesic semiconducteurs
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Pièce fabricant #MURT10010
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Fiche technique MURT10010 DataSheet
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Package Three Tower
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En stock3687
365 Garantie qualité 24h/24
7*24 Garantie de service 24h/24
90-Garantie après-vente 24h/24
Garantie produit authentique
Spécifications
| Attribut | Valeur |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 50A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 50 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
