MSCSM70HM19CT3AG

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MSCSM70HM19CT3AG

+Nomenclature

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F

  • FabricantTechnologie de micropuce

  • Pièce fabricant #MSCSM70HM19CT3AG

  • Package Module

  • En stock2396

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier Microchip Technology
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type 4 N-Channel
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 124A (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 19mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.4V @ 4mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 215nC @ 20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4500pF @ 700V
Power - Max 365W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

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