MSCSM120HM16CT3AG

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MSCSM120HM16CT3AG

+Nomenclature

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F

  • FabricantTechnologie de micropuce

  • Pièce fabricant #MSCSM120HM16CT3AG

  • Package Module

  • En stock1

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier Microchip Technology
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type 4 N-Channel
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 173A (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 16mOhm @ 80A, 20V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.8V @ 2mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 464nC @ 20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 6040pF @ 1000V
Power - Max 745W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

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