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MBR200200CT
+NomenclatureDIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
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FabricantGenesic semiconducteurs
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Pièce fabricant #MBR200200CT
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Fiche technique MBR200200CT DataSheet
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Package Twin Tower
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En stock6236
365 Garantie qualité 24h/24
7*24 Garantie de service 24h/24
90-Garantie après-vente 24h/24
Garantie produit authentique
Spécifications
| Attribut | Valeur |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Active |
| DiodeConfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| DiodeType | Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 200 V |
| Current-AverageRectified(Io)(perDiode) | 100A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 920 mV @ 100 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 3 mA @ 200 V |
| OperatingTemperature-Junction | -55°C ~ 150°C |
| MountingType | Chassis Mount |
| Package/Case | Twin Tower |
