IXTY1R4N120PHV

Images à titre indicatif uniquement

IXTY1R4N120PHV

+Nomenclature

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252

  • FabricantLa société ixys

  • Pièce fabricant #IXTY1R4N120PHV

  • En stock3896

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series Polar
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 13Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 24.8 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 666 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 86W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-252AA

Produits liés à IXTY1R4N120PHV