IXTA3N100D2-TRL

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IXTA3N100D2-TRL

+Nomenclature

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263

  • FabricantLa société ixys

  • Pièce fabricant #IXTA3N100D2-TRL

  • En stock5236

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier IXYS
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series Depletion
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3A (Tj)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 0V
Rds On(Max) @ Id Vgs 6Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 37.5 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1020 pF @ 25 V
FET Feature Depletion Mode
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)

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