IXFN100N50Q3

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IXFN100N50Q3

+Nomenclature

MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B

  • FabricantLa société ixys

  • Pièce fabricant #IXFN100N50Q3

  • En stock9628

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™, Q3 Class
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 82A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 49mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 6.5V @ 8mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 255 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 13800 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 960W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B

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