GT1003D

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GT1003D

+Nomenclature

N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1

  • FabricantGoford semi - conducteurs

  • Pièce fabricant #GT1003D

  • En stock5401

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier Goford Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.6V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 5.2 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 212 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23-3L