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GB10SLT12-252
+NomenclatureDIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
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FabricantGenesic semiconducteurs
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Pièce fabricant #GB10SLT12-252
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Fiche technique GB10SLT12-252 DataSheet
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Package TO-252-3
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En stock8019
365 Garantie qualité 24h/24
7*24 Garantie de service 24h/24
90-Garantie après-vente 24h/24
Garantie produit authentique
Spécifications
| Attribut | Valeur |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 250 µA @ 1200 V |
| Capacitance @ Vr F | 520pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-252 |
