G1002L

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G1002L

+Nomenclature

N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2

  • FabricantGoford semi - conducteurs

  • Pièce fabricant #G1002L

  • En stock5096

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier Goford Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2A
Rds On(Max) @ Id Vgs 250mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 413 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 1.3W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23-3L