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FAM65HR51DS2
+NomenclatureIGBT MODULE 650V 33A 135W
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FabricantSemi - conducteurs
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Pièce fabricant #FAM65HR51DS2
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Fiche technique FAM65HR51DS2 DataSheet
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En stock8627
365 Garantie qualité 24h/24
7*24 Garantie de service 24h/24
90-Garantie après-vente 24h/24
Garantie produit authentique
Spécifications
| Attribut | Valeur |
| Supplier | onsemi |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Active |
| Configuration | Half Bridge Inverter |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 650 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 33 A |
| Power - Max | 135 W |
| Input Capacitance(Cies) @ Vce | 4.86 nF @ 400 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
