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ES1JL
+NomenclatureDIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
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FabricantSociété taïwanaise de semi - conducteurs
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Pièce fabricant #ES1JL
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Package DO-219AB
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En stock7425
365 Garantie qualité 24h/24
7*24 Garantie de service 24h/24
90-Garantie après-vente 24h/24
Garantie produit authentique
Spécifications
| Attribut | Valeur |
| Supplier | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Standard |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 600 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 1A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.7 V @ 1 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 35 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 5 µA @ 600 V |
| Capacitance@VrF | 8pF @ 4V, 1MHz |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | DO-219AB |
| SupplierDevicePackage | Sub SMA |
