EPC2021ENGR

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EPC2021ENGR

+Nomenclature

TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE

  • FabricantDisparaître moulage

  • Pièce fabricant #EPC2021ENGR

  • En stock5920

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier EPC
Package / Case Cut Tape (CT)
Series eGaN®
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 60A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 14mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V
Vgs(Max) +6V, -4V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1700 pF @ 40 V
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package Die