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BYC8B-600PJ
+NomenclatureDIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
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FabricantSemi - conducteur renergique
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Pièce fabricant #BYC8B-600PJ
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Fiche technique BYC8B-600PJ DataSheet
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Package TO-263-3
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En stock9695
365 Garantie qualité 24h/24
7*24 Garantie de service 24h/24
90-Garantie après-vente 24h/24
Garantie produit authentique
Spécifications
| Attribut | Valeur |
| Supplier | WeEn Semiconductors |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 8A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.4 V @ 8 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 18 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 600 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D2PAK |
