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IGBT MOD 1700V 110A 625W
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FabricantTechnologie Infineon
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Pièce fabricant #BSM75GB170DN2HOSA1
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Fiche technique BSM75GB170DN2HOSA1 DataSheet
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Package Module
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En stock642
365 Garantie qualité 24h/24
7*24 Garantie de service 24h/24
90-Garantie après-vente 24h/24
Garantie produit authentique
Spécifications
| Attribut | Valeur |
| Supplier | Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies |
| Package / Case | Bulk,Tray |
| Part Status | Obsolete |
| Configuration | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 1700 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 110 A |
| Power - Max | 625 W |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | 3.9V @ 15V, 75A |
| Input Capacitance(Cies) @ Vce | 11 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
