APTM10DHM09T3G

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APTM10DHM09T3G

+Nomenclature

MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

  • FabricantSociété megosenmei

  • Pièce fabricant #APTM10DHM09T3G

  • Package SP-3

  • En stock3646

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Series POWER MOS V®
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 139A
Rds On(Max) @ Id Vgs 10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 350nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 9875pF @ 25V
Power - Max 390W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

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