APTM100DSK35T3G

Images à titre indicatif uniquement

APTM100DSK35T3G

+Nomenclature

MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

  • FabricantTechnologie de micropuce

  • Pièce fabricant #APTM100DSK35T3G

  • Package SP-3

  • En stock7545

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier Microchip Technology
Package Bulk
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1000V (1kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 22A
RdsOn(Max)@IdVgs 420mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 2.5mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 186nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 5200pF @ 25V
Power-Max 390W
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
Package/Case SP3

Produits liés à APTM100DSK35T3G