ALD111933PAL

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ALD111933PAL

+Nomenclature

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier Advanced Linear Devices Inc.
Package / Case Tube
Series EPAD®
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V
Rds On(Max) @ Id Vgs 500Ohm @ 5.9V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.35V @ 1µA
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Power - Max 500mW
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TJ)
Mounting Type Through Hole

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