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1N8026-GA
+NomenclatureDIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
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FabricantGenesic semiconducteurs
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Pièce fabricant #1N8026-GA
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Fiche technique 1N8026-GA DataSheet
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Package TO-257-3
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En stock4813
365 Garantie qualité 24h/24
7*24 Garantie de service 24h/24
90-Garantie après-vente 24h/24
Garantie produit authentique
Spécifications
| Attribut | Valeur |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package | Tube |
| ProductStatus | Obsolete |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 1200 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 8A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.6 V @ 2.5 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 10 µA @ 1200 V |
| Capacitance@VrF | 237pF @ 1V, 1MHz |
| MountingType | Through Hole |
| Package/Case | TO-257-3 |
| SupplierDevicePackage | TO-257 |
