UCC27524DR vs UCC27200DDAR

Cette comparaison détaillée des composants UCC27524DR et UCC27200DDAR vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification UCC27524DR UCC27200DDAR
Part Status Active Active
Driven Configuration Low-Side Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 4.5V ~ 18V 8V ~ 17V
Logic Voltage - VILVIH 1V, 2.3V 3V, 8V
Current - Peak Output(Source Sink) 5A, 5A 3A, 3A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 120 V
Rise / Fall Time(Typ) 7ns, 6ns 8ns, 7ns
Operating Temperature -40°C ~ 140°C (TJ) -40°C ~ 140°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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