UCC27710DR vs UCC27425DR

Cette comparaison détaillée des composants UCC27710DR et UCC27425DR vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine

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Specification UCC27710DR UCC27425DR
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Low-Side
Channel Type Synchronous Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 4V ~ 15V
Logic Voltage - VILVIH 1.5V, 1.6V 1V, 2V
Current - Peak Output(Source Sink) 500mA, 1A 4A, 4A
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time(Typ) 40ns, 20ns 20ns, 15ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Input Type - Inverting, Non-Inverting
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