UCC27325DR vs UCC27714D

Cette comparaison détaillée des composants UCC27325DR et UCC27714D vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification UCC27325DR UCC27714D
Part Status Active Active
Driven Configuration Low-Side Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 4.5V ~ 15V 10V ~ 18V
Logic Voltage - VILVIH 1V, 2V 1.2V, 2.7V
Current - Peak Output(Source Sink) 4A, 4A 4A, 4A
Input Type Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 20ns, 15ns 15ns, 15ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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