UCC27325DR vs UCC27322MDEP Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants UCC27325DR et UCC27322MDEP vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
UCC27325DR

+Nomenclature

6133 PCS | Texas Instruments
UCC27322MDEP

+Nomenclature

6752 PCS | Texas Instruments
Package SOIC-8 SOIC-8
Description IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC POWER MANAGEMENT
Part Status Active Active
Driven Configuration Low-Side Low-Side
Channel Type Independent Single
Number of Drivers 2 1
Gate Type N-Channel, P-Channel MOSFET N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage - Supply 4.5V ~ 15V 4V ~ 15V
Logic Voltage - VILVIH 1V, 2V 1V, 2V
Current - Peak Output(Source Sink) 4A, 4A 9A, 9A
Input Type Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
Rise / Fall Time(Typ) 20ns, 15ns 20ns, 20ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : UCC27325DR UCC27322MDEP

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