TLC27M2CDR vs TLC271IDG4

Cette comparaison détaillée des composants TLC27M2CDR et TLC271IDG4 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
TLC27M2CDR

+Nomenclature

1234 PCS | Texas Instruments
TLC271IDG4

+Nomenclature

7011 PCS | Texas Instruments
Package SOIC-8
Description IC OPAMP GP 2.2MHZ 8SOIC
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Series LinCMOS™ LinCMOS™
ProductStatus Active Active
AmplifierType CMOS General Purpose
NumberofCircuits 2 1
SlewRate 0.62V/µs 5.3V/µs
GainBandwidthProduct 635 kHz 2.2 MHz
Current-InputBias 0.7 pA 0.7 pA
Voltage-InputOffset 1.1 mV 1.1 mV
Current-Supply 285µA (x2 Channels) 950µA
Current-Output/Channel 30 mA 30 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 4 V
Voltage-SupplySpan(Max) 16 V 16 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 85°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : TLC27M2CDR TLC271IDG4

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