TLC271BIDR vs TLC27M4CDR Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants TLC27M4CDR et TLC271BIDR vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
TLC27M4CDR

+Nomenclature

5966 PCS | Texas Instruments
TLC271BIDR

+Nomenclature

4844 PCS | Texas Instruments
Package SOIC-8
Description IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
Series LinCMOS™ LinCMOS™
Part Status Active Active
Amplifier Type General Purpose General Purpose
Number of Circuits 4 1
Slew Rate 0.62V/µs 5.3V/µs
Gain Bandwidth Product 525 kHz 2.2 MHz
Current - Input Bias 0.7 pA 0.7 pA
Voltage - Input Offset 1.1 mV 390 µV
Supply Current 570µA (x4 Channels) 950µA
Current - Output / Channel 30 mA 30 mA
Voltage - Supply Span(Min) 3 V 4 V
Voltage - Supply Span(Max) 16 V 16 V
Operating Temperature 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : TLC27M4CDR TLC271BIDR

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