TLC271BIDR vs TLC27M2MDG4 Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants TLC271BIDR et TLC27M2MDG4 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
TLC271BIDR

+Nomenclature

4844 PCS | Texas Instruments
TLC27M2MDG4

+Nomenclature

3674 PCS | Texas Instruments
Package SOIC-8 SOIC-8
Description IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - Rochester Electronics, LLC,Texas Instruments
Series LinCMOS™ LinCMOS™
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
Amplifier Type General Purpose CMOS
Number of Circuits 1 2
Slew Rate 5.3V/µs 0.62V/µs
Gain Bandwidth Product 2.2 MHz 635 kHz
Current - Input Bias 0.7 pA 0.7 pA
Voltage - Input Offset 390 µV 1.1 mV
Supply Current 950µA 285µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel 30 mA 30 mA
Voltage - Supply Span(Min) 4 V 4 V
Voltage - Supply Span(Max) 16 V 16 V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C -55°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : TLC271BIDR TLC27M2MDG4

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