STPSC4H065DI vs STPSC1006G-TR Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants STPSC4H065DI et STPSC1006G-TR vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-220-2
TO-263-3
Description
DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Supplier
STMicroelectronics
STMicroelectronics
Part Status
Active
Obsolete
Diode Type
Silicon Carbide Schottky
Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
650 V
600 V
Current - Average Rectified(Io)
4A
10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.75 V @ 4 A
1.7 V @ 10 A
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
40 µA @ 650 V
150 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr F
-
650pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type
Through Hole
Surface Mount
