STPSC20H065CW vs STPSC406D

Cette comparaison détaillée des composants STPSC20H065CW et STPSC406D vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification STPSC20H065CW STPSC406D
Part Status Active Active
Diode Type Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V 600 V
Current - Average Rectified(Io) - 4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.75 V @ 10 A 1.9 V @ 4 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 100 µA @ 650 V 50 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr F - 200pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type Through Hole Through Hole
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode -
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) 10A -
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 175°C -