STGW40V60DF vs STGW45NC60VD

Cette comparaison détaillée des composants STGW40V60DF et STGW45NC60VD vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification STGW40V60DF STGW45NC60VD
Supplier - STMicroelectronics
Series - PowerMESH™
Part Status Active Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 90 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 160 A 220 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.3V @ 15V, 40A 2.4V @ 15V, 30A
Power - Max 283 W 270 W
Switching Energy 456µJ (on), 411µJ (off) 333µJ (on), 537µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 226 nC 126 nC
Td(on / off) @ 25°C 52ns/208ns 33ns/178ns
Test Condition 400V, 40A, 10Ohm, 15V 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 41 ns 45 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop -