STF10N105K5 vs STF10NM60N

Cette comparaison détaillée des composants STF10N105K5 et STF10NM60N vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification STF10N105K5 STF10NM60N
Series MDmesh™ K5 MDmesh™ II
Part Status Active Active
Base Product Number STF10 -
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1050 V 600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 3A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.5 nC @ 10 V -
Vgs (Max) 30V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 545 pF @ 100 V -
Power Dissipation (Max) 30W (Tc) 25W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Packaging Tube -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 10A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 19 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±25V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 540 pF @ 50 V
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