STF10NM60N vs STF1060
Cette comparaison détaillée des composants STF10NM60N et STF1060 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-220F
TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Description
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
DIODE SCHOTTKY 60V ITO220AC
Supplier
-
SMC Diode Solutions
ProductStatus
Active
Active
DiodeType
-
Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max)
-
60 V
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If
-
650 mV @ 10 A
Speed
-
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current-ReverseLeakage@Vr
-
850 µA @ 60 V
MountingType
Through Hole
Through Hole
Series
MDmesh™ II
-
FETType
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
600 V
-
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
10A (Tc)
-
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
-
RdsOn(Max)@IdVgs
550mOhm @ 4A, 10V
-
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
-
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
19 nC @ 10 V
-
Vgs(Max)
±25V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
540 pF @ 50 V
-
PowerDissipation(Max)
25W (Tc)
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
