STD10P10F6 vs STD10NF10T4
Cette comparaison détaillée des composants STD10NF10T4 et STD10P10F6 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-252-3
TO-252-3
Description
MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
Series
STripFET™ II
STripFET™ F6
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
13A (Tc)
10A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
130mOhm @ 5A, 10V
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
21 nC @ 10 V
16.5 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
460 pF @ 25 V
864 pF @ 80 V
PowerDissipation(Max)
50W (Tc)
40W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
175°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Connexes
4433 PCS
