SI4946BEY-T1-E3 vs SI4948BEY-T1-E3

Cette comparaison détaillée des composants SI4946BEY-T1-E3 et SI4948BEY-T1-E3 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification SI4946BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3
Series TrenchFET® TrenchFET®
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6.5A 2.4A
Rds On(Max) @ Id Vgs 41mOhm @ 5.3A, 10V 120mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 10V 22nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 840pF @ 30V -
Power - Max 3.7W 1.4W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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