SI2319DS-T1-E3 vs SI2319DDS-T1-GE3

Cette comparaison détaillée des composants SI2319DS-T1-E3 et SI2319DDS-T1-GE3 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification SI2319DS-T1-E3 SI2319DDS-T1-GE3
Series TrenchFET® TrenchFET® Gen III
Part Status Obsolete Active
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 75mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 19 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 650 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max) 750mW (Ta) 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number SI2319 -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A (Ta) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 3A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470 pF @ 20 V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
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