SI2302DDS-T1-GE3 vs SI2301CDS-T1-E3 Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants SI2301CDS-T1-E3 et SI2302DDS-T1-GE3 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
SOT-23-3
SOT-23-3
Description
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Series
TrenchFET®
TrenchFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
2.9A (Tj)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
2.5V, 4.5V
2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs
112mOhm @ 2.8A, 4.5V
57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA
850mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
5.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±8V
±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
405 pF @ 10 V
-
Power Dissipation (Max)
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
710mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
