SI2308BDS-T1-GE3 vs SI2301-TP

Cette comparaison détaillée des composants SI2308BDS-T1-GE3 et SI2301-TP vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification SI2308BDS-T1-GE3 SI2301-TP
Series TrenchFET® -
Part Status Obsolete Active
Base Product Number SI2308 -
FET Type N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156mOhm @ 1.9A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 30 V -
Power Dissipation (Max) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) 1.25W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 2.8A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 14.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) - ±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 880 pF @ 6 V
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